生產(chǎn)高低溫沖擊試驗(yàn)箱的廠家與低溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備的相關(guān)功能可以溶合在一起做成一臺(tái)設(shè)備，它就是高低溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備。即是一臺(tái)可以單獨(dú)做高溫沖擊試驗(yàn)+單獨(dú)做低溫沖擊試驗(yàn)+高低溫交變沖擊試驗(yàn)的設(shè)備。

高溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備|低溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備特點(diǎn):

它們方便于在溫度瞬間變化對(duì)試品的性能和品質(zhì)作出評(píng)價(jià)。愛(ài)佩科技生產(chǎn)的具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn)：

A、試驗(yàn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)先進(jìn)合理，外殼采用德國(guó)進(jìn)口激光加工而成,平整光滑,制造工藝規(guī)范，外觀美觀、大方,給人帶來(lái)美感,維護(hù)保養(yǎng)方便。

B、零部件的配套與組裝匹配性好，主要功能元器件均采用具有先進(jìn)水平的原裝國(guó)外進(jìn)口件，提高了產(chǎn)品的**性和可靠性，能保證用戶(hù)長(zhǎng)時(shí)間、高頻率的使用要求。

C、設(shè)備正常運(yùn)行所需的附帶條件已有配備，買(mǎi)方只需提供動(dòng)力電力、試驗(yàn)消耗品和滿(mǎn)足要求的工作環(huán)境即可。

高溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備|低溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

工作室尺寸：350×400×350（mm）；500×400×400（mm）；600×500×500（mm）；700×600×600（mm）（W×H×D）

外形尺寸：以選擇每款工作室尺寸的實(shí)際外形尺寸為標(biāo)準(zhǔn)。

*高溫沖擊范圍：  150℃

低溫沖擊范圍：  -65℃

高低溫沖擊范圍有：-40℃～+150℃;-55℃～+150℃;-65℃～+150℃;

高溫室儲(chǔ)存*高溫度范圍: 60℃～+200℃;

低溫室儲(chǔ)存低溫度范圍: 60℃～-75℃;

高溫室升溫時(shí)間：+20℃～+200℃約60分鐘

低溫室降溫時(shí)間：+20℃～-75℃約100分鐘

溫度恢復(fù)時(shí)間: 3~5min（*快轉(zhuǎn)換時(shí)間在10秒鐘內(nèi)可完成）

溫度波動(dòng)度：±0.5℃

溫度偏差：  ≤±2℃

生產(chǎn)高低溫沖擊試驗(yàn)箱的廠家**裝置:

配有:超溫保護(hù);壓縮機(jī)超壓;過(guò)載;過(guò)流保護(hù);風(fēng)機(jī)過(guò)載保護(hù)相序保護(hù),漏電保護(hù);

電源:AC380V50Hz

高溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備|低溫沖擊試驗(yàn)設(shè)備主要用于電子電器零組件塑膠等行業(yè)，國(guó)防工業(yè)、兵工業(yè)、航天、BGA、PCB基扳、、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車(chē)配件、金屬、化學(xué)材料、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化進(jìn)行試驗(yàn),可確認(rèn)產(chǎn)品在環(huán)境中突變的性能。用來(lái)測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng)高溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度，藉以在*短時(shí)間內(nèi)試驗(yàn)其熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理變化。